SI2308BDS-T1-E3 está obsoleto e não é mais fabricado.
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Ficha técnica
Canal N 60 V 2,3A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SI2308BDS-T1-E3

Número de produto da DigiKey
SI2308BDS-T1-E3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SI2308BDS-T1-E3CT-ND - Fita cortada (CT)
SI2308BDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
SI2308BDS-T1-E3
Descrição
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 60 V 2,3A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Atributos de produto
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Mostrar atributos vazios
Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
3V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
6.8 nC @ 10 V
Séries
Vgs (máx.)
±20V
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
190 pF @ 30 V
Part Status
Obsoleto
Dissipação de potência (máx.)
1,09W (Ta), 1,66W (Tc)
Tipo de FET
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss)
60 V
Invólucro do dispositivo fornecido
SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Pacote / Invólucro
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Número base de produto
Rds on (máx.) para Id, Vgs
156mOhm a 1,9A, 10V
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (7)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
SI2308BDS-T1-BE3Vishay Siliconix10742-SI2308BDS-T1-BE3CT-ND$ 0,87000Direct
SI2308CDS-T1-GE3Vishay Siliconix29.650SI2308CDS-T1-GE3CT-ND$ 0,55000Recomendado pelo fabricante
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Obsoleto
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