
SI2306BDS-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SI2306BDS-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI2306BDS-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI2306BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI2306BDS-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 38 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 30 V 3,16A (Ta) 750mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI2306BDS-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 47mOhm a 3,5A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 4.5 nC @ 5 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 305 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 750mW (Ta) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SOT-23-3 (TO-236) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 0,92000 | $ 0,92 |
| 10 | $ 0,57200 | $ 5,72 |
| 100 | $ 0,37090 | $ 37,09 |
| 500 | $ 0,28408 | $ 142,04 |
| 1.000 | $ 0,25610 | $ 256,10 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3.000 | $ 0,22053 | $ 661,59 |
| 6.000 | $ 0,20261 | $ 1.215,66 |
| 9.000 | $ 0,19348 | $ 1.741,32 |
| 15.000 | $ 0,18323 | $ 2.748,45 |
| 21.000 | $ 0,17716 | $ 3.720,36 |
| 30.000 | $ 0,17125 | $ 5.137,50 |











