IRLR120PBF Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

IRLR120PBF
Número de produto da DigiKey	IRLR120PBF-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	IRLR120PBF
Descrição	MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 7,7A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) Montagem em superfície DPAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRLR120PBF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7,7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	270mOhm a 4,6A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	490 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	DPAK
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IRLR120

IRLR120PBF