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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IRLR110 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IRLR110-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IRLR110 |
Descrição | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 100 V 4,3A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) Montagem em superfície DPAK |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IRLR110 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 540mOhm a 2,6A, 5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 6.1 nC @ 5 V | |
Vgs (máx.) | ±10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 250 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2,5W (Ta), 25W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | DPAK | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Manufacturer Quote Required
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