IRLD024PBF Vishay Siliconix | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IRLD024PBF
Número de produto da DigiKey	IRLD024PBF-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	IRLD024PBF
Descrição	MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 2,5A (Ta) 1,3W (Ta) Furo passante 4-HVMDIP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRLD024PBF Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	100mOhm a 1,5A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	18 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	870 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,3W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	4-HVMDIP
Pacote / Invólucro	4-DIP (0,300", 7,62mm)
Número base de produto	IRLD024