TO-263AB
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IRFBF20SPBF

Número de produto da Digi-Key
IRFBF20SPBF-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IRFBF20SPBF
Descrição
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
66 semanas
Descrição detalhada
Canal N 900 V 1,7A (Tc) 3,1W (Ta), 54W (Tc) Montagem em superfície D²PAK (TO-263)
Referência do cliente
Ficha técnica Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Tubo
Situação do produto
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
1,7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
8Ohm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
490 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,1W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
D²PAK (TO-263)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D²Pak (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
AtributoDescrição
Situação da RoHSConformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)1 (ilimitado)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Todos os preços estão em USD
Tubo
Qtd. Preço unitário Preço total
1$2,20000$2,20
10$1,97600$19,76
100$1,58810$158,81
500$1,30476$652,38
1.000$1,11837$1.118,37
Recursos adicionais
AtributoDescrição
Outros nomes*IRFBF20SPBF
Embalagem padrão50
Substitutos (1)
N.° de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELN.° de peça da Digi-KeyPreço unitário Tipo de substituto
IXTA1R6N100D2IXYS5IXTA1R6N100D2-ND$3,16000Similar