


IRFBE30SPBF | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IRFBE30SPBF-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IRFBE30SPBF |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 37 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 4,1A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IRFBE30SPBF Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 78 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1300 pF @ 25 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 125W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3Ohm a 2,5A, 10V | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| FQB4N80TM | onsemi | 823 | FQB4N80TMCT-ND | $ 3,22000 | Similar |
| STB7NK80ZT4 | STMicroelectronics | 2.414 | 497-6557-1-ND | $ 4,22000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 4,47000 | $ 4,47 |
| 50 | $ 2,28600 | $ 114,30 |
| 100 | $ 2,07430 | $ 207,43 |
| 500 | $ 1,70348 | $ 851,74 |
| 1.000 | $ 1,58437 | $ 1.584,37 |
| 2.000 | $ 1,48426 | $ 2.968,52 |
| 5.000 | $ 1,43750 | $ 7.187,50 |

