IRFB9N65APBF Vishay Siliconix | Produtos semicondutores discretos

IRFB9N65APBF está obsoleto e não é mais fabricado.

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IRFB9N65APBF
Número de produto da DigiKey	IRFB9N65APBF-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	IRFB9N65APBF
Descrição	MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 8,5A (Tc) 167W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRFB9N65APBF Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8,5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	930mOhm a 5,1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1417 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	167W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220AB
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IRFB9