Canal N 500 V 8A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 500 V 8A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF840STRLPBF

Número de produto da DigiKey
IRF840STRLPBFTR-ND - Fita e carretel (TR)
IRF840STRLPBFCT-ND - Fita cortada (CT)
IRF840STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
IRF840STRLPBF
Descrição
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 500 V 8A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
850mOhm a 4,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1300 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,1W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
IRF840
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 3,55000$ 3,55
10$ 2,31600$ 23,16
100$ 1,61610$ 161,61
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
800$ 1,25036$ 1.000,29
1.600$ 1,16503$ 1.864,05
2.400$ 1,15000$ 2.760,00
Embalagem padrão do fabricante