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IRF610LPBF | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IRF610LPBF-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IRF610LPBF |
Descrição | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 41 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 200 V 3,3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Furo passante I2PAK |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 8.2 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 140 pF @ 25 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 36W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 200 V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido I2PAK |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,5Ohm a 2A, 10V | Número base de produto |
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Substitutos (7)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| FQP4N20L | onsemi | 12 | FQP4N20L-ND | $ 1,74000 | Similar |
| IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP023N04NGXKSA1-ND | $ 0,00000 | Similar |
| IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP039N04LGXKSA1-ND | $ 0,67806 | Similar |
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | 496 | 448-IPP041N04NGXKSA1-ND | $ 2,06000 | Similar |
| IPP042N03LGXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 1.939 | 2156-IPP042N03LGXKSA1-ND | $ 0,91000 | Similar |
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Quantidade
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Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1.000 | $ 0,86086 | $ 860,86 |
