Name: SM8S33AHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: SM8S33AHE3_A/IGITR-ND
Price: 1.8 USD
Availability: InStock

53,3V Grampo 124A Diodo TVS Ipp Montagem em superfície DO-218AB

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SM8S33AHE3_A/I
Número de produto da DigiKey	SM8S33AHE3_A/IGITR-ND - Fita e carretel (TR) SM8S33AHE3_A/IGICT-ND - Fita cortada (CT) SM8S33AHE3_A/IGIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Número de produto do fabricante	SM8S33AHE3_A/I
Descrição	TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Tempo de espera previsto do fabricante	15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	53,3V Grampo 124A Diodo TVS Ipp Montagem em superfície DO-218AB
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SM8S33AHE3_A/I Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Proteção de circuito Supressores de transiente de tensão (TVS) Diodos TVS
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Séries	PAR®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo	Zener
Canais unidirecionais	1
Tensão - Reversa de trabalho (típ.)	33V
Tensão - Ruptura (mín.)	36,7V
Tensão - Grampeamento (máx.) para Ipp	53,3V
Corrente - Pico do pulso (10/1000µs)	124A
Potência - Pico do pulso	6600W (6,6kW)
Proteção de linha de energia	Não
Aplicações	-
Capacitância na frequência	-
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	DO-218AB
Invólucro do dispositivo fornecido	DO-218AB
Número base de produto	SM8S33