Equivalente paramétrico
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ESH1D-M3/61T | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | ESH1D-M3/61T-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | ESH1D-M3/61T |
Descrição | DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 10 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Diodo 200 V 1A Montagem em superfície DO-214AC (SMA) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Tempo de recuperação reversa (trr) 25 ns |
Fabricante | Corrente - Fuga reversa para Vr 1 µA @ 200 V |
Embalagem Fita e carretel (TR) | Capacitância para Vr, F 25pF a 4V, 1MHz |
Part Status Ativo | Tipo de montagem |
Tecnologia | Pacote / Invólucro |
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.) 200 V | Invólucro do dispositivo fornecido DO-214AC (SMA) |
Corrente - Média retificada (Io) 1A | Temperatura de operação - Junção -55°C a 175°C |
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If 900 mV @ 1 A | Número base de produto |
Velocidade Rápida recuperação =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| ESH1D-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 4.844 | 112-ESH1D-E3/61TCT-ND | $ 0,69000 | Equivalente paramétrico |
| ESH1D-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1D-M3/5AT-ND | $ 0,14168 | Equivalente paramétrico |
| ESH1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7.017 | 112-ESH1DHE3_A/HCT-ND | $ 0,80000 | Equivalente paramétrico |
| ESH1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 6.610 | 112-ESH1DHE3_A/ICT-ND | $ 0,80000 | Equivalente paramétrico |
| ESH1DHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-ESH1DHM3_A/HTR-ND | $ 0,13978 | Equivalente paramétrico |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 14.400 | $ 0,14168 | $ 2.040,19 |



