Equivalente paramétrico
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Equivalente paramétrico

EGL41BHE3_B/H | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 112-EGL41BHE3_B/HTR-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | EGL41BHE3_B/H |
Descrição | DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB |
Tempo de espera previsto do fabricante | 17 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Diodo 100 V 1A Montagem em superfície DO-213AB |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Category | Tempo de recuperação reversa (trr) 50 ns |
Fabricante | Corrente - Fuga reversa para Vr 5 µA @ 100 V |
Séries | Capacitância para Vr, F 20pF a 4V, 1MHz |
Embalagem Fita e carretel (TR) | Grau Automotivo |
Part Status Ativo | Qualificação AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo de montagem |
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.) 100 V | Pacote / Invólucro |
Corrente - Média retificada (Io) 1A | Invólucro do dispositivo fornecido DO-213AB |
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If 1 V @ 1 A | Temperatura de operação - Junção -65°C a 175°C |
Velocidade Rápida recuperação =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| BYM12-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 29.190 | BYM12-100-E3/96GICT-ND | $ 0,86000 | Equivalente paramétrico |
| BYM12-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYM12-100-E3/97-ND | $ 0,17727 | Equivalente paramétrico |
| BYM12-100HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYM12-100HE3/96-ND | $ 0,00000 | Equivalente paramétrico |
| BYM12-100HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYM12-100HE3/97-ND | $ 0,00000 | Equivalente paramétrico |
| BYM12-100HE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYM12-100HE3_B/HTR-ND | $ 0,32323 | Equivalente paramétrico |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 9.000 | $ 0,32323 | $ 2.909,07 |


