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BYM10-100HE3/97 está obsoleto e não é mais fabricado.
Substitutos disponíveis:
Recomendado pelo fabricante
Similar
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
BYM10-100HE3/97 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | BYM10-100HE3/97-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | BYM10-100HE3/97 |
Descrição | DIODE AVALANCHE 100V 1A DO213AB |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Diodo 100 V 1A Montagem em superfície DO-213AB |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Velocidade Recuperação padrão >500ns, > 200mA (Io) |
Fabricante | Corrente - Fuga reversa para Vr 10 µA @ 100 V |
Séries | Capacitância para Vr, F 8pF a 4V, 1MHz |
Embalagem Fita e carretel (TR) | Tipo de montagem |
Part Status Obsoleto | Pacote / Invólucro |
Tecnologia | Invólucro do dispositivo fornecido DO-213AB |
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.) 100 V | Temperatura de operação - Junção -65°C a 175°C |
Corrente - Média retificada (Io) 1A | Número base de produto |
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If 1.1 V @ 1 A |
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Recursos adicionais
Substitutos (2)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| BYM10-100HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYM10-100HE3_A/ITR-ND | $ 0,30354 | Recomendado pelo fabricante |
| 1N5622US | Microchip Technology | 0 | 1N5622US-ND | $ 6,34477 | Similar |
Obsoleto
Não-cancelável/não-retornável
