Name: XPW4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPW4R10ANB,L1XHQTR-ND
Price: 3.26 USD
Availability: InStock

Canal N 100 V 70A 170W (Tc) Montagem em superfície 8-DSOP avançado

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

XPW4R10ANB,L1XHQ
Número de produto da DigiKey	264-XPW4R10ANB,L1XHQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XPW4R10ANB,L1XHQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XPW4R10ANB,L1XHQ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Tempo de espera previsto do fabricante	52 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 70A 170W (Tc) Montagem em superfície 8-DSOP avançado
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	XPW4R10ANB,L1XHQ Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 75 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4970 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 170W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 70A	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-DSOP avançado
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,1mOhm a 35A, 10V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 1mA