Name: XPN12006NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN12006NCL1XHQTR-ND
Price: 1.89 USD
Availability: InStock

Canal N 60 V 20A 65W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado-WF (3,1x3,1)

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XPN12006NC,L1XHQ
Número de produto da DigiKey	264-XPN12006NCL1XHQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XPN12006NCL1XHQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XPN12006NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XPN12006NC,L1XHQ
Descrição	MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Tempo de espera previsto do fabricante	52 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 20A 65W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado-WF (3,1x3,1)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	XPN12006NC,L1XHQ Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 23 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1100 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 65W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 20A	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-TSON avançado-WF (3,1x3,1)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 12mOhm a 10A, 10V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 200µA	Número base de produto XPN12006