Name: XPH2R106NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND
Price: 2.9 USD
Availability: InStock

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XPH2R106NC,L1XHQ
Número de produto da DigiKey	264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XPH2R106NCL1XHQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XPH2R106NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XPH2R106NC,L1XHQ
Descrição	MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	XPH2R106NC,L1XHQ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	110A (Ta)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,1mOhm a 55A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	104 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6900 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP avançado (5x5)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	XPH2R106