Name: XPH2R106NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND
Price: 3.1 USD
Availability: OutOfStock

Canal N 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5)

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XPH2R106NC,L1XHQ
Número de produto da DigiKey	264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XPH2R106NCL1XHQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XPH2R106NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XPH2R106NC,L1XHQ
Descrição	MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	XPH2R106NC,L1XHQ Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 104 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Séries U-MOSVIII-H	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6900 pF @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação 175°C
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 110A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOP avançado (5x5)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,1mOhm a 55A, 10V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA	Número base de produto XPH2R106