Name: XK1R9F10QB,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND
Price: 5.17 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

XK1R9F10QB,LXGQ
Número de produto da DigiKey	264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XK1R9F10QBLXGQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XK1R9F10QBLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XK1R9F10QB,LXGQ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Montagem em superfície TO-220SM(W)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	XK1R9F10QB,LXGQ Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 184 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Séries U-MOSX-H	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 11500 pF @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação 175°C
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 160A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-220SM(W)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,92mOhm a 80A, 10V	Número base de produto XK1R9F10
Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 1mA