Name: TW083Z65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083Z65C,S1F-ND
Price: 15.4 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TW083Z65C,S1F
Número de produto da DigiKey	264-TW083Z65C,S1F-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TW083Z65C,S1F
Descrição	G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Furo passante TO-247-4L(X)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	118mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 600µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	873 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	111W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247-4L(X)
Pacote / Invólucro	TO-247-4

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	$ 15,40000	$ 15,40
30	$ 9,48400	$ 284,52
120	$ 8,40125	$ 1.008,15

Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.