Canal N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Furo passante TO-247
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Furo passante TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

Número de produto da DigiKey
264-TW083N65CS1F-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
TW083N65C,S1F
Descrição
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Tempo de espera previsto do fabricante
24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Furo passante TO-247
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 600µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
28 nC @ 18 V
Embalagem
Tubo
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Part Status
Ativo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
873 pF @ 400 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
111W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
175°C
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Tipo de montagem
Furo passante
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
113mOhm @ 15A, 18V
Classificação de exportação e ambiental
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 17,96000$ 17,96
30$ 11,11233$ 333,37
120$ 9,61317$ 1.153,58
510$ 9,02375$ 4.602,11
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.