TK125N60Z1,S1F
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW048N65C,S1F

Número de produto da DigiKey
264-TW048N65CS1F-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
TW048N65C,S1F
Descrição
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Tempo de espera previsto do fabricante
24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 40A (Tc) 132W (Tc) Furo passante TO-247
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
65mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 1,6mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1362 pF @ 400 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
132W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247
Pacote / Invólucro
Perguntas e respostas sobre o produto

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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 19,69000$ 19,69
30$ 12,38733$ 371,62
120$ 11,51375$ 1.381,65
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.