Name: TW031V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW031V65CLQTR-ND
Price: 40.82 USD
Availability: InStock

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TW031V65C,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TW031V65CLQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TW031V65CLQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TW031V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TW031V65C,LQ
Descrição	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 53A (Tc) 156W (Tc) Montagem em superfície 4-DFN-EP (8x8)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 3mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 65 nC @ 18 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +25V, -10V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2288 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 156W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Temperatura de operação 175°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 53A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 4-DFN-EP (8x8)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V	Pacote / Invólucro 4-VSFN pad exposto
Rds on (máx.) para Id, Vgs 45mOhm a 29A, 18V