Name: TPW4R50ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW4R50ANHL1QTR-ND
Price: 3.74 USD
Availability: InStock

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TPW4R50ANH,L1Q
Número de produto da DigiKey	TPW4R50ANHL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) TPW4R50ANHL1QCT-ND - Fita cortada (CT) TPW4R50ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPW4R50ANH,L1Q
Descrição	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 92A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montagem em superfície 8-DSOP avançado
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPW4R50ANH,L1Q Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 58 nC @ 10 V
Séries U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5200 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-DSOP avançado
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 92A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto TPW4R50
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,5mOhm a 46A, 10V