Canal N 30 V 27A (Tc) 700mW (Ta), 32W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
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TPN6R003NL,LQ

Número de produto da DigiKey
TPN6R003NLLQTR-ND - Fita e carretel (TR)
TPN6R003NLLQCT-ND - Fita cortada (CT)
TPN6R003NLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante
TPN6R003NL,LQ
Descrição
MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 27A (Tc) 700mW (Ta), 32W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
TPN6R003NL,LQ Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Séries
U-MOSVIII-H
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
27A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
6mOhm a 13,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,3V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1400 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
700mW (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-TSON avançado (3,1x3,1)
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Número base de produto
TPN6R003
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Em estoque: 2.724
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,77000$ 1,77
10$ 1,11900$ 11,19
100$ 0,74810$ 74,81
500$ 0,58904$ 294,52
1.000$ 0,53786$ 537,86
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,47288$ 1.418,64
6.000$ 0,44019$ 2.641,14
9.000$ 0,42353$ 3.811,77
15.000$ 0,40483$ 6.072,45
21.000$ 0,40250$ 8.452,50
Embalagem padrão do fabricante