
TPN1200APL,L1Q | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 264-TPN1200APLL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPN1200APLL1QCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPN1200APLL1QDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | TPN1200APL,L1Q |
Descrição | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO |
Tempo de espera previsto do fabricante | 16 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 11,5mOhm a 20A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,5V a 300µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 24 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1855 pF @ 50 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 630mW (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura de operação | 175°C | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-TSON avançado (3,1x3,1) | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 1,24000 | $ 1,24 |
| 10 | $ 0,77700 | $ 7,77 |
| 100 | $ 0,51210 | $ 51,21 |
| 500 | $ 0,39824 | $ 199,12 |
| 1.000 | $ 0,36157 | $ 361,57 |
| 2.000 | $ 0,33072 | $ 661,44 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 5.000 | $ 0,28840 | $ 1.442,00 |
| 10.000 | $ 0,27000 | $ 2.700,00 |










