Name: TPN1200APL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN1200APLL1QTR-ND
Price: 1.32 USD
Availability: OutOfStock

Canal N 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)

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TPN1200APL,L1Q
Número de produto da DigiKey	264-TPN1200APLL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPN1200APLL1QCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPN1200APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPN1200APL,L1Q
Descrição	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 11,5mOhm a 20A, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 300µA
Séries U-MOSIX-H	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 24 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1855 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 175°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 40A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-TSON avançado (3,1x3,1)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8