Novo produto
Canal N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (4,9x5,75)
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Canal N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (4,9x5,75)
264~2-6L1A~~8 bottom

TPM1R908QM,LQ

Número de produto da DigiKey
264-TPM1R908QMLQTR-ND - Fita e carretel (TR)
264-TPM1R908QMLQCT-ND - Fita cortada (CT)
264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante
TPM1R908QM,LQ
Descrição
N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (4,9x5,75)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Séries
U-MOSX-H
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
26A (Ta), 238A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
1,9mOhm a 70A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,5V a 1,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
10500 pF @ 40 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-SOP avançado (4,9x5,75)
Pacote / Invólucro
PowerTDFN-8
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Em estoque: 8.872
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 2,87000$ 2,87
10$ 1,85800$ 18,58
100$ 1,28080$ 128,08
500$ 1,05570$ 527,85
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
5.000$ 0,86250$ 4.312,50
Embalagem padrão do fabricante
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