Name: TPHR9003NL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR9003NL1LQTR-ND
Price: 2.47 USD
Availability: OutOfStock

Canal N 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5,75)

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TPHR9003NL1,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TPHR9003NL1LQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPHR9003NL1LQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPHR9003NL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPHR9003NL1,LQ
Descrição	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5,75)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,9mOhm a 50A, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx.) para Id 2,3V a 1mA
Séries U-MOSVIII-H	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 74 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6900 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 800mW (Ta), 170W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 150A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOP avançado (5x5,75)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8