Name: TPH1R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1R712MDL1QTR-ND
Price: 2.03 USD
Availability: InStock

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TPH1R712MD,L1Q
Número de produto da DigiKey	TPH1R712MDL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) TPH1R712MDL1QCT-ND - Fita cortada (CT) TPH1R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPH1R712MD,L1Q
Descrição	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPH1R712MD,L1Q Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVI
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,7mOhm a 30A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,2V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	182 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	10900 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	78W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP avançado (5x5)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	TPH1R712