Name: TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 1.93 USD
Availability: InStock

Canal N 60 V 8A (Ta) 25W (Tc) Montagem em superfície DPAK+

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Número de produto da DigiKey	264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)TR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)CT-ND - Fita cortada (CT) 264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Descrição	MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 8A (Ta) 25W (Tc) Montagem em superfície DPAK+
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK8S06K3L(T6L1,NQ) Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 10 nC @ 10 V
Séries U-MOSIV	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 400 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 25W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido DPAK+
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8A (Ta)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto TK8S06
Rds on (máx.) para Id, Vgs 54mOhm a 4A, 10V