Name: TK7R0E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK7R0E08QMS1X-ND
Price: 2.18 USD
Availability: InStock

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TK7R0E08QM,S1X
Número de produto da DigiKey	264-TK7R0E08QMS1X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK7R0E08QM,S1X
Descrição	UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 64A (Tc) 87W (Tc) Furo passante TO-220
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK7R0E08QM,S1X Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSX-H
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	64A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	7mOhm a 32A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 500µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2700 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	87W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220
Pacote / Invólucro	TO-220-3

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	$ 2,18000	$ 2,18
50	$ 0,92520	$ 46,26
100	$ 0,90470	$ 90,47

Embalagem padrão do fabricante

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