Canal N 650 V 3A (Ta) 35W (Tc) Furo passante TO-220SIS
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TK3A65D(STA4,Q,M)

Número de produto da DigiKey
TK3A65D(STA4QM)-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante
TK3A65D(STA4,Q,M)
Descrição
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 3A (Ta) 35W (Tc) Furo passante TO-220SIS
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Séries
π-MOSVII
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
2,25Ohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4,4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
540 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220SIS
Pacote / Invólucro
Pacote completo TO-220-3
Número base de produto
TK3A65
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 2,09000$ 2,09
50$ 1,01120$ 50,56
100$ 0,90630$ 90,63
500$ 0,72216$ 361,08
1.000$ 0,66294$ 662,94
2.000$ 0,61315$ 1.226,30
5.000$ 0,58125$ 2.906,25
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.