Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 7.2 USD
Availability: InStock

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TK31V60X,LQ
Número de produto da DigiKey	TK31V60XLQTR-ND - Fita e carretel (TR) TK31V60XLQCT-ND - Fita cortada (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK31V60X,LQ
Descrição	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 30,8A (Ta) 240W (Tc) Montagem em superfície 4-DFN-EP (8x8)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK31V60X,LQ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	DTMOSIV-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	30,8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	98mOhm a 9,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 1,5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3000 pF @ 300 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	240W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	4-DFN-EP (8x8)
Pacote / Invólucro	4-VSFN pad exposto
Número base de produto	TK31V60