Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 7.7 USD
Availability: InStock

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TK31V60X,LQ
Número de produto da DigiKey	TK31V60XLQTR-ND - Fita e carretel (TR) TK31V60XLQCT-ND - Fita cortada (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK31V60X,LQ
Descrição	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 30,8A (Ta) 240W (Tc) Montagem em superfície 4-DFN-EP (8x8)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK31V60X,LQ Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 1,5mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 65 nC @ 10 V
Séries DTMOSIV-H	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3000 pF @ 300 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 240W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Invólucro do dispositivo fornecido 4-DFN-EP (8x8)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 30,8A (Ta)	Pacote / Invólucro 4-VSFN pad exposto
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto TK31V60
Rds on (máx.) para Id, Vgs 98mOhm a 9,4A, 10V