TO-220-3
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TK2R4E08QM,S1X

Número de produto da DigiKey
264-TK2R4E08QMS1X-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante
TK2R4E08QM,S1X
Descrição
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Furo passante TO-220
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
TK2R4E08QM,S1X Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Séries
U-MOSX-H
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
2,44mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,5V a 2,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
13000 pF @ 40 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220
Pacote / Invólucro
TO-220-3
Perguntas e respostas sobre o produto

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Disponível para pedido
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
50$ 2,40200$ 120,10
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.