Name: TK14G65W5,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK14G65W5RQTR-ND
Price: 1.625 USD
Availability: OutOfStock

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Canal N 650 V 13,7A (Ta) 130W (Tc) Montagem em superfície D2PAK

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TK14G65W5,RQ
Número de produto da DigiKey	TK14G65W5RQTR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK14G65W5,RQ
Descrição	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 13,7A (Ta) 130W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK14G65W5,RQ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	DTMOSIV
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13,7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	300mOhm a 6,9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 690µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1300 pF @ 300 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	130W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	TK14G65

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Fita e carretel (TR)