Name: TK125V65Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK125V65ZLQTR-ND
Price: 7.23 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TK125V65Z,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TK125V65ZLQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TK125V65ZLQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TK125V65ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK125V65Z,LQ
Descrição	MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) Montagem em superfície 4-DFN-EP (8x8)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK125V65Z,LQ Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1,02mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 40 nC @ 10 V
Séries DTMOSVI	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2250 pF @ 300 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 190W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 150°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Invólucro do dispositivo fornecido 4-DFN-EP (8x8)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 24A (Ta)	Pacote / Invólucro 4-VSFN pad exposto
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto TK125V65
Rds on (máx.) para Id, Vgs 125mOhm a 12A, 10V