Name: TK110E65Z,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK110E65ZS1X-ND
Price: 5.96 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TK110E65Z,S1X
Número de produto da DigiKey	264-TK110E65ZS1X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK110E65Z,S1X
Descrição	650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) Furo passante TO-220
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	24A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	110mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1,02mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2250 pF @ 300 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	190W (Tc)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220
Pacote / Invólucro	TO-220-3

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Em estoque: 50

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	$ 5,96000	$ 5,96
50	$ 3,15300	$ 157,65
100	$ 2,88240	$ 288,24
500	$ 2,41124	$ 1.205,62

Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.