Name: TK10A80W,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK10A80W,S4X-ND
Price: 4.36 USD
Availability: InStock

Canal N 800 V 9,5A (Ta) 40W (Tc) Furo passante TO-220SIS

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TK10A80W,S4X
Número de produto da DigiKey	264-TK10A80W,S4X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK10A80W,S4X
Descrição	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 9,5A (Ta) 40W (Tc) Furo passante TO-220SIS
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK10A80W,S4X Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	DTMOSIV
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	550mOhm a 4,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 450µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1150 pF @ 300 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	40W (Tc)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220SIS
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	TK10A80

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	$ 4,36000	$ 4,36
50	$ 2,24340	$ 112,17
100	$ 2,03860	$ 203,86
500	$ 1,67966	$ 839,83
1.000	$ 1,58625	$ 1.586,25

Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.