Name: TJ8S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3LLXHQTR-ND
Price: 1.44 USD
Availability: InStock

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TJ8S06M3L,LXHQ
Número de produto da DigiKey	264-TJ8S06M3LLXHQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TJ8S06M3LLXHQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TJ8S06M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TJ8S06M3L,LXHQ
Descrição	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 8A (Ta) 27W (Tc) Montagem em superfície DPAK+
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TJ8S06M3L,LXHQ Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 19 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) +10V, -20V
Séries U-MOSVI	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 890 pF @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 27W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação 175°C
Tipo de FET Canal P	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido DPAK+
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 104mOhm a 4A, 10V	Número base de produto TJ8S06
Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 1mA