Name: SSM6K819R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K819RLFTR-ND
Price: 1.05 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SSM6K819R,LF
Número de produto da DigiKey	264-SSM6K819RLFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-SSM6K819RLFCT-ND - Fita cortada (CT) 264-SSM6K819RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6K819R,LF
Descrição	N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 10A (Ta) 1,5W (Ta) Montagem em superfície 6-TSOP-F
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	25,8mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 100µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1110 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,5W (Ta)
Temperatura de operação	175°C
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-TSOP-F
Pacote / Invólucro	Módulo 6-SMD, condutores planos
Número base de produto	SSM6K819