Name: SSM6K517NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K517NULFTR-ND
Price: 0.71 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SSM6K517NU,LF
Número de produto da DigiKey	264-SSM6K517NULFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-SSM6K517NULFCT-ND - Fita cortada (CT) 264-SSM6K517NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6K517NU,LF
Descrição	MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 6A (Ta) 1,25W (Ta) Montagem em superfície 6-UDFNB (2x2)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM6K517NU,LF Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 3.2 nC @ 4.5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +12V, -8V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 310 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 1,25W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido 6-UDFNB (2x2)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V	Pacote / Invólucro 6-WDFN pad exposto
Rds on (máx.) para Id, Vgs 39,1mOhm a 2A, 4,5V	Número base de produto SSM6K517