Name: SSM6J825R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6J825RLFTR-ND
Price: 0.6 USD
Availability: InStock

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SSM6J825R,LF
Número de produto da DigiKey	264-SSM6J825RLFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-SSM6J825RLFCT-ND - Fita cortada (CT) 264-SSM6J825RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6J825R,LF
Descrição	P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 4A (Ta) 1,5W (Ta) Montagem em superfície 6-TSOP-F
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +10V, -20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 492 pF @ 10 V
Tipo de FET Canal P	Dissipação de potência (máx.) 1,5W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido 6-TSOP-F
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V	Pacote / Invólucro Módulo 6-SMD, condutores planos
Rds on (máx.) para Id, Vgs 45mOhm a 4A, 10V	Número base de produto SSM6J825

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SSM6J825R,LF