Name: SSM6J808R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6J808RLFTR-ND
Price: 0.97 USD
Availability: InStock

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SSM6J808R,LF
Número de produto da DigiKey	264-SSM6J808RLFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-SSM6J808RLFCT-ND - Fita cortada (CT) 264-SSM6J808RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6J808R,LF
Descrição	P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 7A (Ta) 1,5W (Ta) Montagem em superfície 6-TSOP-F
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 24.2 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) +10V, -20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1020 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1,5W (Ta)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação 150°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 7A (Ta)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 6-TSOP-F
Rds on (máx.) para Id, Vgs 35mOhm a 2,5A, 10V	Pacote / Invólucro Módulo 6-SMD, condutores planos
Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 100µA	Número base de produto SSM6J808