Name: SSM6J214FE(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J214FE(TE85LFTR-ND
Price: 0.59 USD
Availability: InStock

Canal P 30 V 3,6A (Ta) 500mW (Ta) Montagem em superfície ES6

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SSM6J214FE(TE85L,F
Número de produto da DigiKey	SSM6J214FE(TE85LFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM6J214FE(TE85LFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM6J214FE(TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6J214FE(TE85L,F
Descrição	MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 3,6A (Ta) 500mW (Ta) Montagem em superfície ES6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM6J214FE(TE85L,F Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,2V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 7.9 nC @ 4.5 V
Séries U-MOSVI	Vgs (máx.) ±12V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 560 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 500mW (Ta)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação 150°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido ES6
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 3,6A (Ta)	Pacote / Invólucro SOT-563, SOT-666
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 10V	Número base de produto SSM6J214
Rds on (máx.) para Id, Vgs 50mOhm a 3A, 10V