SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage | FET simples, MOSFETs

SSM3J16CT(TPL3)
Número de produto da DigiKey	SSM3J16CT(TPL3)TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3J16CT(TPL3)
Descrição	MOSFET P-CH 20V 100MA CST3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Montagem em superfície CST3
Modelos EDA / CAD	SSM3J16CT(TPL3) Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	π-MOSVI
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	100mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,5V, 4V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	8Ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,1V a 100µA
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	11 pF @ 3 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	100mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	CST3
Pacote / Invólucro	SC-101, SOT-883
Número base de produto	SSM3J16

SSM3J16CT(TPL3)