RN1962TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage | Matrizes de transistores bipolares, pré-polarizados

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RN1962TE85LF
Número de produto da DigiKey	RN1962TE85LFTR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	RN1962TE85LF
Descrição	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transístor bipolar pré-polarizado (BJT) 2 NPN - Pré-polarizado (duplo) 50V 100mA 250MHz 500mW Montagem em superfície US6

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Matrizes de transistores bipolares, pré-polarizados	Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce 50 a 10mA, 5V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic 300mV a 250µA, 5mA
Embalagem Fita e carretel (TR)	Corrente - Corte do coletor (máx.) 100nA (ICBO)
Part Status Obsoleto	Frequência - Transição 250MHz
Tipo de transistor 2 NPN - Pré-polarizado (duplo)	Potência - Máx. 500mW
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 100mA	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 50V	Pacote / Invólucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Resistor - Base (R1) 10kOhm	Invólucro do dispositivo fornecido US6
Resistor - Emissor Base (R2) 10kOhm	Número base de produto RN1962

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Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
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