HN2A01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage | Matrizes de transistores bipolares

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HN2A01FU-Y(TE85L,F
Número de produto da DigiKey	HN2A01FU-Y(TE85LFCT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	HN2A01FU-Y(TE85L,F
Descrição	TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata de transistor bipolar (BJT) 2 PNP (duplo) 50V 150mA 80MHz 200mW Montagem em superfície US6
Modelos EDA / CAD	HN2A01FU-Y(TE85L,F Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Matrizes de transistores bipolares	Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce 120 a 2mA, 6V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Potência - Máx. 200mW
Embalagem Fita cortada (CT)	Frequência - Transição 80MHz
Part Status Obsoleto	Temperatura de operação 125°C (TJ)
Tipo de transistor 2 PNP (duplo)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 150mA	Pacote / Invólucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 50V	Invólucro do dispositivo fornecido US6
Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic 300mV a 10mA, 100mA	Número base de produto HN2A01
Corrente - Corte do coletor (máx.) 100nA (ICBO)

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Substitutos (1)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
HN1A01FU-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	2.997	HN1A01FU-YLFCT-ND	$ 0,24000	Equivalente paramétrico

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Fita cortada (CT)

HN2A01FU-Y(TE85L,F