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STW70N65M2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | STW70N65M2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | STW70N65M2 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 20 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 63A (Tc) 446W (Tc) Furo passante TO-247-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | STW70N65M2 Modelos |
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 117 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±25V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5140 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 446W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-247-3 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 46mOhm a 31,5A, 10V |
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Substitutos (7)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH80N65X2 | IXYS | 3.650 | 238-IXFH80N65X2-ND | $ 18,70000 | Similar |
| IXFX90N60X | IXYS | 0 | IXFX90N60X-ND | $ 12,08767 | Similar |
| IXKH70N60C5 | IXYS | 210 | 238-IXKH70N60C5-ND | $ 29,72000 | Similar |
| IXTH80N65X2 | IXYS | 115 | IXTH80N65X2-ND | $ 18,30000 | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $ 15,53000 | Similar |
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Quantidade
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Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 600 | $ 7,26280 | $ 4.357,68 |
