STI24NM65N STMicroelectronics | Produtos semicondutores discretos

STI24NM65N
Número de produto da DigiKey	STI24NM65N-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STI24NM65N
Descrição	MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 19A (Tc) 160W (Tc) Furo passante I2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	MDmesh™ II
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	19A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	190mOhm a 9,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2500 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	160W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	I2PAK
Pacote / Invólucro	TO-262-3 condutores longos, I2PAK, TO-262AA
Número base de produto	STI24N

STI24NM65N