STFI24N60M2 STMicroelectronics | Produtos semicondutores discretos

STFI24N60M2
Número de produto da DigiKey	497-13598-5-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STFI24N60M2
Descrição	MOSFET N CH 600V 18A TO281
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 18A (Tc) 30W (Tc) Furo passante TO-281 (I2PAKFP)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	STFI24N60M2 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	MDmesh™ II Plus
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	190mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1060 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	30W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-281 (I2PAKFP)
Pacote / Invólucro	TO-262-3 pacote completo, I2PAK
Número base de produto	STFI24N

STFI24N60M2