SCTW35N65G2V está obsoleto e não é mais fabricado.
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SCTW35N65G2V

Número de produto da DigiKey
497-SCTW35N65G2V-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SCTW35N65G2V
Descrição
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 45A (Tc) 240W (Tc) Furo passante HiP247™
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SCTW35N65G2V Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Obsoleto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
67mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1370 pF @ 400 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
240W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 200°C (TJ)
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
HiP247™
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Obsoleto
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