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SCTW35N65G2V | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 497-SCTW35N65G2V-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SCTW35N65G2V |
Descrição | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 45A (Tc) 240W (Tc) Furo passante HiP247™ |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SCTW35N65G2V Modelos |
Categoria | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 73 nC @ 20 V |
Fabricante | Vgs (máx.) +22V, -10V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1370 pF @ 400 V |
Part Status Obsoleto | Dissipação de potência (máx.) 240W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 200°C (TJ) |
Tecnologia | Grau Automotivo |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Qualificação AEC-Q101 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V, 20V | Invólucro do dispositivo fornecido HiP247™ |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 67mOhm a 20A, 20V | Pacote / Invólucro |
Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 1mA | Número base de produto |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC060SMA070B | Microchip Technology | 318 | MSC060SMA070B-ND | $ 5,58000 | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $ 15,53000 | Similar |
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| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | $ 10,81000 | Similar |





